，三星公布了截至2024年3月31日的第一季度財報。顯示其存儲器業(yè)務通過滿足高附加值產品的市場需求終于實現了盈利，帶動了整個DS部門的營收和利潤增長，讓半導體業(yè)務自2022年以來的首次恢復盈利。

三星在財報中表示，其專注于HBM、DDR5、服務器SSD和UFS 4.0等高附加值產品，伴隨產品的平均售價（ASP）提升，從而實現了業(yè)務的增長。在接下來的第二季度里，服務器和存儲方面對人工智能（AI）的需求將保持穩(wěn)定，主要受到生成式AI的驅動，而對DDR5及高密度SSD的需求仍然強勁，同時中國的移動設備制造商對DRAM和NAND閃存的需求也很高。

三星已經在本月量產了HBM3E 8H DRAM，以及第9代V-NAND技術的產品，并計劃在第二季度內量產HBM3E 12H DRAM和基于1β (b) nm（第五代10nm級別）32Gb DDR5打造的128GB DRAM產品，比原計劃里的下半年提前了。按照三星的說法，這是為了更好地應對生成式AI日益增長的需求，所以選擇加快了HBM和1β (b) nm 32Gb DDR5的項目進度。

近期企業(yè)級QLC SSD的需求攀升，而目前市場上可以提供經驗證的企業(yè)級QLC產品的廠家只有Solidigm和三星。為此三星已確認，第三季度會量產QLC版本的第9代V-NAND產品，以盡可能地滿足企業(yè)用戶的使用需求。

不少人還關心三星的晶圓代工業(yè)務，但三星稱，由于市場需求疲軟和持續(xù)的庫存調整，復蘇的速度相對比較遲緩。不過三星表示，目前晶圓廠的運營效率已經有所提升，新一代2/3nm制程工藝的開發(fā)也較為順利，另外4nm制程工藝的良品率已日趨穩(wěn)定。

三星計劃下半年量產第二代3nm制程工藝，也就是SF3，使用“第二代多橋-通道場效應晶體管（MBCFET）”，之前已在試產。